目錄化學氣相沉積設備組成 化學氣相沉積爐 半導體化學氣相沉積設備 化學氣相沉積儀器設備 化學氣相沉積設備概述
CVD(ChemicalVaporDeposition，化學氣相沉積)指把含有構成薄膜元素的賣侍沖氣態反應劑或談悔液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣中殲體引入反應室，在襯底表面發生化學反應生成薄膜的過程。SiC外延設備第三代寬緊帶半導體SiC材料的同質外延生長。
作為全球領先的半導體制造企業之一，臺積電使用了多種薄膜沉積設備。以下是其中一些設備的簡要介紹：
1. 金屬有機化合物化學氣相沉積設備(MOCVD)：該設備用于生產GaN（氮化鎵）相關的LED、激光器、功率器件等。其工作原理是通過熱分解金屬有機化合物獲得金屬元素，然后與氨氣反應生成薄膜。
2. 化學氣相沉積設備(CVD)：該設備用于生產SiO2、Si3N4和多種金屬和合金涂層。其工作原理是將氣態前驅體引入反應室中，在巖正念高溫高壓下發生化學反應形成薄膜。
3. 磁控濺射設備：該設備用于生產金屬、合金薄膜。其工作原理是通過在真空條件下施加電磁場，使靶材表面金屬離子釋放出被沉積在基板上形成薄膜。
4. 氧化粗困物物理氣相沉積設備(PECVD)：該設備用于生產二氧化硅(SiO2)等氧化物材清歷料的薄膜。其工作原理是將含有氧氣/氫氣的前驅體供應到反應室中，在較低的壓力和溫度下進行反應，生成氧化物薄膜。
需要注意的是，以上只是臺積電使用的一些常見薄膜沉積設備，隨著技術的不斷發展，他們可能會采用新的或改進的設備。
1,首先你需要一臺化學氣相沉州冊蘆積機臺，常見的有牛津的PECVD幾臺。
2,藥品的話主要是一切特殊氣體，如硅烷，氮氣，氨氣，氧氣，笑冊帶氣，氟化碳氣體等。
3,試驗步驟建議使用田口的DOE實驗法，這樣你姿漏可以省去一些不必要的試驗。
PVD(PhysicalVaporDeposition)——物理氣相沉積(PhysicalVaporDeposition):是指通過物理過程將物質從源頭轉移，并將原子或分子轉移到基底表面的過程。CVD是化學氣相沉積(ChemicalVaporDeposition)的簡稱，是指高溫下的氣相反應，如金屬鹵化物、有機金屬和碳氫化合物的熱分解、氫氣還原或其混合氣體在高溫下的化學反應，以沉淀出金屬、氧化物、碳化物等無機物質。PVD技術出現，制備的薄膜具有硬度高、摩擦系數低、耐磨性好、化學穩定性好等優點。起初，在高速鋼刀具領域的成功應用引起了世界制造業碰廳的極大關注。在開發高性能、高可靠性涂層設備的同時，人們也對涂層在硬質合金和陶瓷刀具上笑譽隱的應用進行了更深入的研究。與CVD工藝相比，PVD工藝的處理溫度較低，在600℃以下對刀具材料的抗彎強度沒有影響。薄膜的內應力狀態為壓應力，更適合硬質合金精密和復雜的涂層。PVD過程對環境沒有不良影響，符合現代綠色制造的發展方向。目前，PVD涂層技術已廣泛應用于硬質合金立銑刀、鉆頭、階梯鉆、油孔鉆、鉸刀、絲錐、可轉位銑刀片、車刀、異形刀具和焊接刀具虛歲的涂層處理。
化學氣相沉積是一種化工技術，該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相淀大灶積是近幾十年發展起來的制備無機材料的新技術。化學氣相淀積法已經廣泛用于提純物質、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態無機薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化殲纖物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程精確控制。
原理
化學氣相沉積技術是應用氣態物質在固體上闡述化學反應并產生固態沉積物的一種工藝，它大致包含三步：
（1）形成揮發性物質
；
（2）把上述物質轉移至沉積區域
；
（3）在固體上產生化學反應并產生固態物質
。
最基本的化學氣相沉積反應包括熱分解反應、化學合成反應以及化學傳輸反應等集中。
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特點
1）在中溫或高溫下，通過氣態的初始化合物之間的氣相化學反應而形成固體物質沉積在基體上。
2）可以在常壓或者真空條件下(負壓“進行沉積、通常真空沉積膜層質量較好）。
3）采用等離子和激光輔助技術可以顯著地促進化學反應，使沉積可在較低的溫度下進行。
4）涂層的化學成分可以隨氣相組成的改變而變化，從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層。
5）可以控制涂層的密度和涂層純度。
6）繞鍍件好。可在復雜形狀的基體上以及顆粒材料上鍍膜。適合涂覆各種復雜形狀的工件。由于它的繞鍍性能好，所以可涂覆帶有槽、溝、孔，甚至是盲孔的工件。
7）沉積層通常具有柱狀晶體結構，不耐彎曲，但可通過各種技術對化學反應進行氣相擾動，以改善其結構。
8）可以通過各種反應形滾改扮成多種金屬、合金、陶瓷和化合物涂層。
